硅谷LED芯片公司Verticle（韓國制造），近日研發一款耐強電流的六邊形銅基紫外線LED。該芯片在銅基和氮化鎵基紫外線LED之間采用化學芯片分離技術。盡管紫外線LED有諸多優點，但由于其內量子效率較低，紫外線LED光學功率始終不及藍光LED。
提高紫外線外延晶片內量子效率并非短期內可以實現的，不過，通過提高輸入紫外線LED驅動電流、控制產熱，同樣可以提高其總功率。Verticle表示紫外線LED的熱下垂問題比藍光LED更為突出，故降低結溫為公司現在主要面臨的挑戰。
為了提高注入電流和散熱水平，Verticle紫外線LED芯片采用銅基底。如圖，銅基垂直芯片的熱阻(Rth)為2K/W，低于氮化鎵/硅垂直芯片。所以，氮化鎵/銅結溫(Tj)低于氮化鎵/硅。當注入電流為350mA時，兩芯片間結溫差為2攝氏度，然而，注入電流為1A時，結溫差更大。
公司通過測試指出，采用相同外延片的情況下，垂直銅基紫外線LED芯片比水平銅基紫外線LED芯片輻射通量高。而且，銅基紫外線LED芯片的耐受驅動電流高于其他材質垂直芯片。例如：注入電流1A時，氮化鎵/銅紫外線LED芯片不飽和，而氮化鎵/藍寶石芯片在注入電流超過500mA后開始飽和。這表明氮化鎵/銅芯片比其他材質基底氮化鎵芯片的散熱能力更強，為需要高注入電流和良好散熱性能的應用提供了獨特的技術優勢。
Verticle公司六邊形紫外線LED芯片（尺寸45mil)，其392納米波長時輻射通量測量值分別為：350mA注入電流時416mW、700mA注入電流時787mW、1A注入電流時1025mW。此外，公司還指出，六邊形“蜂巢狀”芯片通過圓形透鏡封裝，在近圓形光束輪廓的作用下，能夠提供更高的光效率。
(關鍵字：Verticle 銅基紫外線 LED芯片)
