大慶溢泰半導體取得一種用于大直徑銻化鎵晶體生長覆蓋劑除雜裝置專利，提高單晶成品率

國家知識產權局信息顯示，大慶溢泰半導體材料有限公司取得一項名為“一種用于大直徑銻化鎵晶體生長覆蓋劑除雜裝置”的專利，授權公告號CN 221956234 U，申請日期為2024年2月。

專利摘要顯示，一種用于大直徑銻化鎵晶體生長覆蓋劑除雜裝置，涉及晶體生長除雜技術領域，包括能夠起到提升和旋轉作用的機械臂和石英刮盤，石英刮盤安裝在機械臂的下端，石英刮盤至少包括一塊扇形的石英板，石英板的兩側在厚度方向上均帶有用于收集覆蓋劑雜質的斜面，兩個斜面構成的夾角的頂點位于石英板的上方，石英板的中部帶有用于盛放覆蓋劑雜質的凹槽；在石英板的徑向上，凹槽的底面呈斜面，斜面的高點位于石英板的外緣一側，斜面的低點位于石英板的中心一側；所述的凹槽為扇形結構，凹槽的扇形角等于石英板的扇形角。本實用新型能夠通過石英刮盤的轉動刮走液面薄層難溶浮渣，可保證純度比較高的覆蓋劑投入晶體生長中，從而提高單晶成品率。

(關鍵字：銻化鎵)